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PIP-MOS管

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MOS高壓場(chǎng)效應(yīng)300v 69A 0.049Ω管 產(chǎn)品型號(hào):PTW69N30

  • MOS高壓場(chǎng)效應(yīng)300v 69A 0.049Ω管
產(chǎn)品簡(jiǎn)介:PIP高壓場(chǎng)效應(yīng)管,額定電壓300v;額定電流69A;阻值范圍0.034Ω~0.069Ω;閾值電壓(Vth)范圍2V~4V;導(dǎo)通柵極電荷量150nc;Ciss寄生電容7200pF。
重點(diǎn)參數(shù):
額定電壓(DC)
300V
寄生電容 7200pF
額定電流 69A 電阻范圍 0.034Ω~0.049Ω
產(chǎn)品應(yīng)用:

產(chǎn)品詳情

PIP-MOS場(chǎng)效應(yīng)管
額定電壓 300V
額定電流
69A
阻值范圍
0.034Ω~0.049Ω
閾值電壓(Vth)
2V~4V
導(dǎo)通柵極電荷量(og,nc
150nc
寄生電容(Ciss
7200pF
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封裝類(lèi)型

TO220 TO220F TO251 TO252 TO262 TO3P TO247


產(chǎn)品應(yīng)用

產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域廣泛, 涵蓋電子類(lèi)多個(gè)領(lǐng)域, 如消費(fèi)電子、智能家居、智能照明、工控設(shè)備、電動(dòng)汽車(chē)等;


相關(guān)知識(shí)

1、Ciss寄生電容,最大限度降低開(kāi)關(guān)損耗,提高轉(zhuǎn)換效率,另外極低的寄生電容能夠有效改善EMI電磁干擾。

2、RDSON為內(nèi)阻,作為開(kāi)關(guān)電源的主開(kāi)關(guān)MOS,以上都能能夠滿(mǎn)足大部分的應(yīng)用需求。

3、Qg(柵極電荷):柵極電荷Qg是使柵極電壓從0升到10V所需的柵極電荷,是指MOS開(kāi)關(guān)完全打開(kāi),Gate極所需要的電荷量。

4、Vth通常將傳輸特性曲線(xiàn)中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱(chēng)為閾值電壓.在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí),電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱(chēng)為閾值電壓。

產(chǎn)品報(bào)價(jià):MOS高壓場(chǎng)效應(yīng)300v 69A 0.049Ω管

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